肖特基二極管是電子元器件的一種，是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，肖特基二極管主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源與便攜式電子產(chǎn)品中，它是一種熱載流二極管，肖特基二極管不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的，在便攜式電子產(chǎn)品上深受電子工程師的追捧，我們也知道任何產(chǎn)品都是具有兩面性的，這兩面性就是產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，肖特基二極管也不例外
肖特基二極管的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基二極管，像肖特基二極管，TTL集成電路早已成為T(mén)TL電路的主流，在高速計(jì)算機(jī)中被廣泛采用
耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在，而增強(qiáng)型MOS管只有在開(kāi)啟后，才會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電溝道；兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS（柵極電壓）可以用正、零、負(fù)電壓控制導(dǎo)通，而增強(qiáng)型MOS管必須使得VGS>VGS（th）（柵極閾值電壓）才行
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件
二極管框架工藝產(chǎn)品直接用自動(dòng)化切筋成型，5個(gè)產(chǎn)品一次成型。打扁工藝產(chǎn)品需經(jīng)引線打扁、再切筋，每次50個(gè)成型；由于每一臺(tái)打扁模具不可能完全一致，每臺(tái)未必每次能夠打到根部，給切筋帶來(lái)困難，容易造成打裂本體、引腳歪斜不對(duì)稱、引腳寬度不一致等等，甚至容易造成內(nèi)部芯片損傷，導(dǎo)致漏電流偏大或正向阻抗偏大
